VCSEL相对于发光二极管(LED)和边发射激光器(EEL)技术有以下几点明显优势：

 

高兼容：VCSEL的半导体制造以及晶圆集成能够与其他的探测性和电路兼容.

 

低功率: VCSEL的低功率高效率不仅延长电池使用时间，并降低了对终端产品的散热系统的要求.

 

可靠性：VCSEL没有传统激光发射器因结构特质而导致的失效模式，比如线缺陷.此外由于VCSEL的每个元件的使用寿命都足够长，而且不同于LED或者边发射器的线排布方式，VCSEL可以以阵列形式排布，因此单个或几个的发光点的损坏不会使得整个系统受到灾难性的光学损伤.

 

扩展性：多个VCSEL芯片可方便的组装成一维或二维阵列并可以根据特定应用、需求来调整输出功率.

 

易测试：VCSEL在完整晶圆上(不需经切割)即可以完成全部测试及老化，有效的降低了在了产中的制造成本.

 

易封装：在不更新设备的情况下，VCSEL可以沿用传统的低成本LED封装方式。支持在现有应用LED的产品中直接使用相同封装形式的VCSEL进行替换.另外，VCSEL也支持定制化封装，以简化客户后期的集成过程.

低成本：可以沿用传统的半导体制造设备来量产VCSEL，以此来降低制造成本.